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    新材料在半导体工艺中产生新的污染问题

    来宝网2007年4月10日 15:30 点击:2133

    新材料在半导体工艺中产生新的污染问题
    在五年前的好日子里,半导体产品的工艺尺寸缩小,意味着面临在污染方面的挑战,因为要清除尺寸更小的微粒。然而,随着新材料的快速引进,情形变了。只要看看光刻技术和后道工序,我们就可以知道,为什么你的前辈或者甚至是兄长不使用这种制造工艺,?#26448;?#22815;明白这对污染控制来?#21040;?#24847;味着什么。
    IPSSLP咨询公司总裁Larry Thompson认为,光刻技术的临界尺寸(即最小线宽,critical dimension,简称CD)预计会像致命的微粒(killer particles)一样尾随特征尺寸。他说:“因为临界尺寸正在缩少,所?#21592;?#39035;更好地控制空气污染。”
    新材料现在能够起?#27426;?#30340;作用,例如浸润光刻技术用水来代替在最后的透镜和晶片之间的空气,可以形成精度更高的图像,但是,通过强激光能够破坏保护层里或者保护层下面的污染物,这样做会产生泡沫,造成光线散射并在附近层积挥发物。正因为如此,Thompson说,各家公司都在努力把最后的透镜变成一个平的、?#21830;?#20195;的元件。
    浸润光刻技术现在刚刚开始投入使用,人们总会看到它结束的那一天。远紫外线(EUV)光刻技术是下一代成像技术的有力竞争者。远紫外线的光量子波长约为13纳米,几乎是最先进的193纳米技术的十五分之一。产生这些短波会导致出现大量微粒,这主要是设备本身造成的。
    替代方案还包括分子压印技术,这种技术可以把带有所需特征的模板印压在光致抗蚀图上。如果模型建立正确无误,可以达到非常高的图形分辨率。要达到这个目标需要?#34892;?#22320;控制污染物,由于要求精确复制模板而不是缩小尺寸,这将是一个巨大的挑战。Thompson说:“不管是空气还是材料本身造成的污染在压印技术中要比在4X缩印技术中危险得多。”
    在后道工序中,新材料已经造成了污染。因为在努力提高电路性能的同?#20445;?#21046;造商开始转向高应力氮化物和氧化物,以及低电容或者低介电常数(low-k)、易脆和粘性差的材料。
    IBM公司高级工程师chris Long认为,薄膜的应力是一个问题。他说:“当薄膜经过后面的工艺,在高应力点位时……薄膜会开裂,然后裂口越来越大。”
    这些问题往往出现在晶片和工艺设备上。?#36125;?#24320;工艺设备进行预防性的维护时候,薄膜就会暴露在各?#36136;认攏?#36825;?#20445;?#23427;可能会形成很小的悬浮在空气中的絮片。这些东西可能会落在其他工艺设备、进料口或者任何地方。如果为了节约能源和金钱而降低半导体里的气流,会使这个问题变得更突出。
    保证靠得很近的各种工艺设备不在同一时间打开,问题就不会太?#29616;亍?#21478;一个可行的办法是改变工艺设备的清洁程序。增加湿度控制,或是临?#22791;?#21464;区域气流也有帮助。
    另外一种新材料也出现了材料本身带来的污染问题。例如,薄膜的原子层沉积可能会在微槽上产生非常大的阶梯覆盖。它?#37096;?#33021;会导致晶片背面的薄膜不均匀,从而增加背面受到污染的可能性。
    一个办法是增加?#21592;?#38754;的清洗和检测。这种方法倾向于把晶片分成几个各不相同的清洁区域,包括正面和背面。
    chris Long指出,当特征尺寸?#27426;?#32553;小、低于目前最先进的65纳米技术,污染的影响将会越来越大,要?#27426;?#22320;去克服一个个难关。他说:“如果不重视这些问题并且尽早采取措施,迟早会?#26032;?#28902;。”

    紫外线(UV)灭菌水处理公司在中国设立机构
    英国的海?#20302;℉anovia)是生产用于水、污水、空气及表面消毒的紫外线(UV)灭菌设备?#20302;?#30340;公司,最近在中国上海设立业务机构。
    海?#20302;?#20026;半导体和LCD屏幕生产、医药制造、食品饮料加工及酿造在内的众多工业部门提供纯净水。
    海?#20302;?#24120;务董事Craig Howarth说:“我们在上海新成立的业务机构会为我们提供很多机遇,并将?#20013;?#31215;极地推动中国迅速发展的UV灭菌市场。”
    海?#20302;?#26159;豪迈(Halma)的子公司。豪迈是电子、安全和环境技术领域国际市场的领先企业,旗下有40 家子公司,生产危险探测和生命保护产品。
    (来源: 来宝网 )


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