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    现在位置首页>通用分析仪器>显微镜>电子显微镜(扫描电镜、透射电镜)> NPGS电子束曝光系统(纳米图形发生系统)

    商品编号:57355
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    NPGS电子束曝光系统(纳米图形发生系统)

    价    格:询价

    产    地:美国更新时间:2019/7/15 13:41:34

    品    牌:Emitech型    号:NPGS

    状    态:正常点击量:2430

    025-85432178
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    南京覃思科技有限公司

    联 系 人:苏海

    电     话:025-85432178

    传     真:025-85432278

    等     级: (第 12年)

    性     质:生产型,

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    应用简述
    NPGS电镜改装系统能够制备出具有高深宽比的微细结构纳米线条,从而为微电子领域如高精度掩模制作、微机电器件制造、新型IC研发等相关的微/纳加工技术提供了新的方法。NPGS系统作为制作纳米尺度的微小结构与电子元件的技术平台,以此为基础可与各种制程技术与应用结合。应用范围和领域取决于客户?#21335;?#26377;资源,例如: NPGS电子束曝光系统可与等离子应用技术做最有效的整合,进行各项等离子制程应用的开发研究,简述如下:
    (一) 半导体元件制程
    等离子制程已广泛应用于当前半导体元件制程,可视为电子束微影曝光技术?#21335;?#28216;工程。例如:
    (1) 等离子刻蚀(plasma etching)
    (2) 等离子气相薄膜沉积(plasma-enhanced chemical vapor deposition, PECVD)
    (3) 溅镀(sputtering)
    (二) 微机电元件制程(Semiconductor Processing)
    微机电元件在制程上与传统半导体元件制作有其差异性。就等离子相关制程而言,深刻蚀(deep etching)是主要的应用,其目标往往是完成深宽比达到102 等级?#32435;?#27807;刻蚀或晶圆穿透刻?#30784;?#32780;为达成高深宽比,深刻蚀采用二?#21046;?#20307;等离子交替的过程。刻蚀完成后可轻易以氧等离子去除侧壁覆盖之高分子。在微机电元件制作上,深刻蚀可与电子束微影曝光技术密切结合。电子束微影曝光技术在图案设计?#29616;?#33258;由度十分符?#32454;?#26434;多变化的微机电元件构图。一旦完成图案定义,将转由深刻蚀技术将图案转移到晶圆基板。


    产品参数

    二. 主要技术指标:
    型号:NPGS
    最细线宽(μm):根据SEM
    最小束斑(μm):根据SEM
    扫描场:可调
    加速电压:根据SEM,?#35805;?#20026;0-40kV
    速度:5MHz(可选6MHz)
    A. ?#24067;?br /> 微影控制介面卡:NPGS PCI-516A High Speed Lithography Board,high resolution (0.25%)
    控制电脑:Pentium IV 3.0GHz/ 512Mb RAM/ 80G HD/ Windows XP
    皮可安培计:KEITHLEY 6485 Picoammeter
    B. 软件:
    微影控制软件 NPGS V9.0 for Windows2000 或 XP
    图案设计软件 DesignCAD LT 2000 for Windows
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    产品介绍

    一. 技术描述:
    为满足纳米级电子束曝光的要求,JC Nabity的NPGS系统设计了一个纳米图形发生器和数模转换电路,并采用PC机控制。PC机通过图形发生器和数模转换电路去驱动SEM等仪器?#32435;?#25551;线圈,从而使电子束偏转并控制束闸的通断。通过NPGS可以对标准样片进行图像采集以及扫描场的校正。配合精密定位的工件台,还可以实现曝光场的拼接和套刻。利?#38376;?#22871;软件?#37096;?#20197;新建或导入多种通用格式的曝光图形。
    (一) 电子源(Electron Source)
    曝照所需电子束是由既有的SEM、STEM或FIB产生的电子束(离子束)提供。
    (二) 电子束扫描控制(Beam Scanning Control)
    电子射出后,受数千乃至数万伏特之加速电压驱动沿显微镜中轴向下移动,并受中轴周围磁透镜(magnetic lens)作用形成聚焦电子束而对样本表面进行扫描与图案刻画。扫描方式可分为循序扫描(raster scan)与矢量扫描(vector scan)。
    循序扫描是控制电子束在既定?#32435;?#25551;范围内进行逐点逐行?#32435;?#25551;,扫描的点距与行距由程式控制,而当扫描到?#24418;?#24433;图案的区域时,电子束开启进行曝光,而当扫描到无图案区域时,电子束被阻断;矢量扫描则是直接将电子束移动到扫描范围内有图案的区域后开启电子束进行曝光,所需时间较少。
    扫描过程中,电子束的开启与阻断是由电子束阻断器(beam blanker)所控制。电子束阻断器通常安装在磁透镜组上方,其功效为产生一大偏转磁场使电子束完全偏离中轴而无法到达样本。
    (三) 阻剂(光阻)
    阻剂(resist)是转移电子束曝照图案的媒介。阻剂通常是?#21592;?#33180;形式均匀覆盖于基材表面。高能电子束的照射会改变阻剂材?#31995;?#29305;性,再经过显影(development)后,曝照(负阻剂)或未曝照(正阻剂)的区域将会留在基材表面,显出所设计的微影图案,而后续的制程将可进一步将此图案转移到阻剂以下的基材中。
    PMMA(poly-methyl methacrylate)是电子束微影中最常用的正阻剂,是由单体甲基丙烯酸甲酯(methyl methacrylate, MMA)经聚合反应而成。用在电子阻剂的PMMA 通常分子量在数万至数十万之间,受电子束照射的区域PMMA 分子量将变成数百至数千,在显影时低分子量与高分子量PMMA 溶解度的对比非常大。
    负阻剂方面,多半由聚合物的单体构成。在电子束曝照的过程中会产生聚合反应形成长链或交叉链结(crosslinking)聚合物,所产生的聚合物较不易被显影液溶解因而在显影后会留在基板表面形成微影图案。目前常用的负阻剂为化学?#23545;?#24335;阻剂(chemically amplified resist),经电子束曝照后产生氢离子催化链结反应,具有高解析度、高感度,且抗蚀刻性高。
    (四) 基本工序
    电子束微影曝光技术的基本工序与光微影曝光技术相似,从上阻、曝照到显影,各步骤的参数(如温度、时间等等)均有赖于使用者?#26377;?#35201;进行校对与调整。
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